東芝:モバイル機器向け高速インターフェース保護用マルチビットTVSダイオードの発売について

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東京–()–(ビジネスワイヤ) — 株式会社東芝 ストレージ&デバイスソリューション社は、スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPCなどのモバイル機器で使用するUSB Type-CTM、HDMITM等の高速インターフェース回路を、静電気放電(ESD)やサージ電圧などから保護するマルチビットの低容量TVSダイオード (ESD保護ダイオード)の新製品4品種の出荷を本日から開始します。新製品は、当社従来品[注1]に比べて低ダイナミック抵抗、低クランプ電圧を実現すると共に、小型LGAパッケージ[注2]を採用し、実装面積を約30%削減しています。

スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPC、ノートブックPC、各種OA機器、LCDパネルなど各種電子機器の小型化、高機能化に合わせて、それらに搭載される半導体部品も微細化が進んでいます。そのため、それらの部品をESDやサージなどから保護するESD保護用デバイスの重要性も高まってきています。また、USB Type-CやHDMIなどの高速信号インターフェース保護用途として使う場合は、伝送信号の減衰を考慮し、低容量の製品が使用されます。

今回当社がラインアップに追加した新製品は、このような電子機器の高速インターフェース保護向けに特性や端子配置を工夫したTVSダイオードです。当社独自のEAP-IVプロセス[注3]の採用により低ダイナミック抵抗と低クランプ電圧を実現し、ESDやサージによる後段デバイスへの影響を当社従来品[注4]よりも低減し、保護性能を向上させます。また、当社従来品[注1]に比べて実装面積を約30%削減した小型LGAパッケージで、差動信号インターフェースの仕様に合わせて、3.3V信号ラインと5V信号ラインの2シリーズでそれぞれ4ビットと2ビットの2製品、合計4製品をそろえました。

 

新製品の主な仕様:

品番  

ビット

  VRWM

max

(V)

  VESD

(kV) [注5]

 

VBR Min/Max

@IBR=1mA

(V)

 

RDYN Typ.

@8~16 A

(Ω) [注6]

 

VC Typ.

@16 A

(V) [注6]

 

Ct Typ.

@0 V

(pF)

 

パッケージ

DF5G5M4N

4ビット

3.6 ±20 4.0 / 6.0 0.8 22 0.2 DFN5
DF5G6M4N

4ビット

5.5 ±20 5.6 / 8.0 0.8 22 0.2
DF6D5M4N

2ビット

3.6 ±20 4.0 / 6.0 0.8 22 0.2 DFN6
DF6D6M4N  

2ビット

  5.5   ±20   5.6 / 8.0   0.8   22   0.2  
 

[注1]当社1ビット製品
[注2]4ビット製品「DF5G5M4N」と「DF5G6M4N」の「DFN5」パッケージのサイズは1.3 x 0.8mm、2ビット製品「DF6D5M4N」と「DF6D6M4N 」の「DFN6」パッケージのサイズは1.25 x 1.0mm。
[注3]東芝のオリジナルプロセス:ESD Array Process IV
[注4]当社4ビット製品「DF5G7M2N」と比べてダイナミック抵抗を約20%低減しています。
[注5]IEC61000-4-2 (接触放電)条件
[注6]TLPパラメータ: ZO=50Ω, tp=100ns, tr=300ps, averaging window t1=30ns to t2=60ns

*USB Type-CはUSB Implementers Forumの商標または登録商標です。
*HDMIはHDMI Licensing, LLCの商標または登録商標です。

新製品を含む東芝のTVSダイオード 製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/esd-protection-diode.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。





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